培訓(xùn)講師：李   增   

講師情況：凡億教育高級(jí)PCB及信號(hào)仿真講師

參加對(duì)象：電子工程師、、PCB Layout工程師

機(jī)構(gòu)名稱(chēng)：湖南凡億智邦電子科技有限公司（凡億教育）

一、培訓(xùn)背景

隨著系統(tǒng)時(shí)鐘頻率和信號(hào)邊沿的不斷變陡,信號(hào)完整性成為貫穿于高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)中最重要的問(wèn)題之一，了解信號(hào)完整性理論，進(jìn)而指導(dǎo)和驗(yàn)證印刷電路板(PCB)的設(shè)計(jì)是一件刻不容緩的事情。在大中規(guī)模電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,系統(tǒng)地綜合運(yùn)用信號(hào)完整性技術(shù)可以帶來(lái)很多好處,如縮短研發(fā)周期,降低產(chǎn)品成本,降低研發(fā)成本,提高產(chǎn)品性能,提高產(chǎn)品可靠性等。 信號(hào)完整性主要就是指電路系統(tǒng)中信號(hào)的質(zhì)量。引起信號(hào)完整性問(wèn)題的原因比較復(fù)雜,元器件的參數(shù)、PCB的參數(shù)、元器件在PCB上的布局、高速信號(hào)的布線等都是影響信號(hào)完整性的重要因素。信號(hào)完整性問(wèn)題主要表現(xiàn)為:延遲、反射、過(guò)沖、振鈴、串?dāng)_、時(shí)序、同步切換噪聲、EMI等。 

二、課程特色

專(zhuān)業(yè)電子設(shè)計(jì)公司一線設(shè)計(jì)工程師課程講授，包含了講師豐富實(shí)際經(jīng)驗(yàn)及使用技巧，課程選取了電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中常用的信號(hào)仿真鏈路分析流程進(jìn)行了有針對(duì)性的講解，課程的實(shí)例選取緊貼當(dāng)前市場(chǎng)主流的設(shè)計(jì)。課程講解規(guī)范，所有的關(guān)鍵知識(shí)點(diǎn)李老師均打字在屏幕上通過(guò)紅色字體和關(guān)鍵圖表進(jìn)行講解，進(jìn)一步加深課程學(xué)習(xí)理解，力爭(zhēng)一次聽(tīng)懂學(xué)會(huì)課程所涉及到所有實(shí)例文件，包括拓?fù)湎嚓P(guān)配套文件均提供，所涉及到的PCB原始文件，配套原理圖文件，元件手冊(cè)文件，SPD轉(zhuǎn)換文件,仿真配置文件，S參數(shù)文件,分析后的仿真報(bào)告文件及相關(guān)其他的規(guī)范文件等均好不保留的全部提供。目的是方便工程師可以對(duì)照視頻進(jìn)行操作練習(xí)規(guī)范學(xué)習(xí)。 

三、授課對(duì)象

硬件設(shè)計(jì)工程師、PCB設(shè)計(jì)工程師、PCB仿真工程師、PCB項(xiàng)目經(jīng)理、技術(shù)支持工程師，項(xiàng)目管理人員

四、課程大綱

第1次課程課程主題：S參數(shù)提取實(shí)例例應(yīng)用分析（PCB板級(jí)互聯(lián)仿真分析）(基于Sigrity Power SI軟件下的S數(shù)的實(shí)例應(yīng)用分析)

S參數(shù)的詳解和S參數(shù)的應(yīng)用

【1】S參數(shù)的含義與集總參數(shù)表示的電路模型構(gòu)建辦法；

【2】S參數(shù)的分析，分解，合并，NEXT,FEXT，等效模型；

【3】S參數(shù)的模型應(yīng)用與等效電路模型轉(zhuǎn)換辦法；

【4】S參數(shù)的網(wǎng)絡(luò)模型圖分析與S參數(shù)關(guān)聯(lián)參數(shù)提??；

【5】S參數(shù)的經(jīng)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)與常見(jiàn)的行業(yè)S參數(shù)要求；

S參數(shù)的詳解和S參數(shù)的應(yīng)用互聯(lián)分析（實(shí)例分析）

【1】實(shí)例PCB文件導(dǎo)入和材料的參數(shù)帶入及配置材料表等參數(shù)設(shè)置；

【2】互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)連通性檢查&信號(hào)互聯(lián)的過(guò)孔&焊盤(pán)&銅皮等參數(shù)配置；

【3】添加互聯(lián)端口執(zhí)行電源類(lèi)仿真參數(shù)設(shè)置&提取S參數(shù)進(jìn)行分析；

【4】添加互聯(lián)端口執(zhí)行信號(hào)類(lèi)仿真參數(shù)設(shè)置&提取S參數(shù)進(jìn)行分析；

【5】S參數(shù)仿真結(jié)果數(shù)據(jù)解讀和報(bào)告文件解讀分析；

【6】實(shí)例文件的優(yōu)化和S參數(shù)的分析中遇到問(wèn)題的優(yōu)化；

【7】傳輸線LRC的等效模型提取和等效的參數(shù)解讀；

第二次課程課程主題：全波場(chǎng)FEM電磁場(chǎng)分析（PCB板級(jí)互聯(lián)仿真分析）（PCB板級(jí)互聯(lián)仿真分析）(基于Sigrity Power SI軟件下的全波場(chǎng)FEM分析)

三維全波場(chǎng)FEM參數(shù)分析和互聯(lián)應(yīng)用分析（實(shí)例分析）

【1】電磁感應(yīng)的產(chǎn)生原理，磁場(chǎng)的場(chǎng)特征；

【2】 2.5D XYZ三軸磁場(chǎng)，XYZ方向電場(chǎng)E和XYZ方磁場(chǎng)H磁場(chǎng)方向； 

【3】三維靜態(tài)磁場(chǎng)，芯片-封裝-電路板系統(tǒng)中出現(xiàn)大多數(shù)3D結(jié)構(gòu)；

【4】FDTD全波電磁模擬算法，麥克斯韋方程式來(lái)求解；

【5】實(shí)例PCB文件導(dǎo)入和材料的參數(shù)帶入及配置材料表等參數(shù)設(shè)置；

【6】設(shè)置電路模型與電路切割，執(zhí)行區(qū)域仿真切割；

【7】設(shè)置電路的PORT端口，設(shè)置返回路徑和正負(fù)端口；

【8】設(shè)置BOX的區(qū)域切割的范圍，仿真的MESH參數(shù)；

【9】設(shè)置S參數(shù)的提取分辨率，點(diǎn)數(shù)，阻抗的參數(shù)；

【10】執(zhí)行結(jié)果分析&無(wú)源與有源信號(hào)端口鏈路的處理方法；

參數(shù)結(jié)果分析和解讀與改善

【1】全波場(chǎng)S參數(shù)分析與解讀，S11,S21，S31,S41;

【2】電源&GND輸入阻抗和傳輸阻抗分析；

【3】電源平面諧振分析，目標(biāo)阻抗計(jì)算與標(biāo)線檢查；

【4】PDN平面改善策略與優(yōu)化傳輸鏈路阻抗分析；

【5】近場(chǎng)輻射場(chǎng)參數(shù)解讀分析，場(chǎng)強(qiáng)與功率場(chǎng)分布；

【6】遠(yuǎn)場(chǎng)FCC標(biāo)準(zhǔn)，水平與垂直磁場(chǎng)結(jié)果分解與分析；

【7】遠(yuǎn)近磁場(chǎng)輻射參數(shù)切換，場(chǎng)標(biāo)準(zhǔn)解讀，輻射場(chǎng)范圍；

【8】遠(yuǎn)場(chǎng)和近場(chǎng)的區(qū)分，傳輸線輻射場(chǎng)的范圍計(jì)算；

【9】二值化磁場(chǎng)結(jié)果分布圖和結(jié)果；最差結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)；

【10】近場(chǎng)三維場(chǎng)參數(shù)解讀，場(chǎng)強(qiáng)功率分布于頻率切換下的場(chǎng)參數(shù)；

【11】高頻和低頻下的三維場(chǎng)輻射強(qiáng)度分布，諧振點(diǎn)查找；

第三次課程課程主題：IBIS模型建模相關(guān)知識(shí)和問(wèn)題處理辦法（PCB板級(jí)互聯(lián)仿真分析）（基于Sigrity Speed2000軟件下的信號(hào)質(zhì)量評(píng)估）

IBIS模型建模相關(guān)知識(shí)和問(wèn)題；

【1】IBIS元件模型相關(guān)知識(shí)&IO模型&IBIS文件的框架結(jié)構(gòu)；

【2】輸入模型&輸出的模型&IO緩存器模型的模型數(shù)據(jù)分析；

【3】緩沖器模型部分分析&接收器的閾值&溫度和電壓&）I/V曲線；

【4】緩沖器特性電壓時(shí)間的速度& IBIS模型的獲取方法；

【5】IBIS文件中常見(jiàn)的語(yǔ)法錯(cuò)誤檢查辦法&常見(jiàn)的錯(cuò)誤修改技巧；

【6】IBIS文件里面電源和GND部分描述模型省略的補(bǔ)救措施修改技巧；

【7】IBIS文件的獲取途徑途徑和方法；

【8】XtractIM抽取Spice-T模型和Spice-Pi模型及IBIS.pkg方法；

【9】IBIS模型和Spice模型的轉(zhuǎn)換；

【10】IBIS下的IO表征和描述行為建模方法；

第四次課程課程主題：通用信號(hào)實(shí)例仿真分析（PCB板級(jí)互聯(lián)仿真分析）（基于Sigrity Speed2000軟件下的信號(hào)質(zhì)量評(píng)估）

通用時(shí)域信號(hào)互聯(lián)仿真分析（實(shí)例仿真）

【1】實(shí)例PCB文件導(dǎo)入和材料的參數(shù)帶入及配置材料表等參數(shù)設(shè)置；

【2】互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)連通性檢查&信號(hào)互聯(lián)的過(guò)孔&焊盤(pán)&銅皮等參數(shù)配置；

【3】IBIS文件錯(cuò)誤檢查&錯(cuò)誤修改和IO緩沖器的特性檢查配置；

【4】DIE和封裝Package IBIS文件關(guān)聯(lián)編輯生成新的關(guān)聯(lián)IBIS文件；

【5】設(shè)置仿真的網(wǎng)絡(luò)和區(qū)域&進(jìn)行關(guān)鍵網(wǎng)絡(luò)的鏈路分析和阻抗檢查；

【6】設(shè)置分析網(wǎng)絡(luò)的關(guān)聯(lián)信號(hào)的GND和VCC分組&關(guān)鍵信號(hào)進(jìn)行分類(lèi)；

【7】關(guān)聯(lián)分析信號(hào)元件的IBIS模型&創(chuàng)建多信號(hào)分組&信號(hào)關(guān)聯(lián)檢查；

【8】編寫(xiě)信號(hào)激勵(lì)源的函數(shù)&設(shè)置激勵(lì)源&關(guān)聯(lián)信號(hào)激勵(lì)TX發(fā)送；

【9】設(shè)置信號(hào)流向關(guān)聯(lián)RX接收&設(shè)置對(duì)用網(wǎng)絡(luò)的IO模型關(guān)聯(lián)模型；

【10】設(shè)置仿真參數(shù)包括Level兩個(gè)等級(jí)&設(shè)置參與仿真的信號(hào)網(wǎng)絡(luò)類(lèi)；

【11】執(zhí)行仿真分析仿真結(jié)果&建立信號(hào)分析模板對(duì)結(jié)果提出改進(jìn)；

第五次課程課程主題：內(nèi)存DDR3專(zhuān)題時(shí)域信號(hào)仿真分析（PCB板級(jí)互聯(lián)仿真分析）（基于Sigrity Speed2000軟件下的信號(hào)質(zhì)量評(píng)估）

DDR3內(nèi)存信號(hào)時(shí)序標(biāo)準(zhǔn)和相關(guān)信號(hào)評(píng)定指標(biāo)；

【1】DDR3芯片常見(jiàn)的BGA類(lèi)內(nèi)存封裝選擇策略；

【2】DDR3 內(nèi)存中常見(jiàn)的信號(hào)分類(lèi)和信號(hào)的各自定義與特征詳解；

【3】DDR3 地址組&控制組&時(shí)鐘組&命令組&數(shù)據(jù)組信號(hào)分類(lèi)和特征；

【4】DDR3 輸入信號(hào)VIHAC,VIHDC,VILAC,VILDC,VREF的判斷標(biāo)準(zhǔn)幅度；

【5】DDR3 單線信號(hào)過(guò)沖&下沖的區(qū)域范圍和信號(hào)的速率及影響；

【6】DDR3 差分線CLK,DQS信號(hào)和最小的設(shè)置范圍區(qū)間；

【7】TIS,TIH,TDS,TDH,TVAC,AC175,DC100,AC150,AC135等的時(shí)序；

【8】建立時(shí)間和保持是關(guān)系，信號(hào)建立時(shí)間和保持時(shí)間的關(guān)聯(lián)因素；

【9】信號(hào)眼圖模板的制作眼圖的眼寬&眼高的計(jì)算；

【10】理想和非理想下眼圖判斷依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)；

DDR3內(nèi)存信號(hào)分析（實(shí)例分析）

【1】DDR3實(shí)例文件導(dǎo)入和材料的參數(shù)帶入及配置材料表等參數(shù)設(shè)置；

【2】DDR3網(wǎng)絡(luò)連通性檢查&信號(hào)互聯(lián)的過(guò)孔&焊盤(pán)&銅皮等參數(shù)配置；

【3】DDR3 IBIS文件錯(cuò)誤檢查&修改和IO緩沖器的特性檢查配置；

【4】DDR3仿真的網(wǎng)絡(luò)和區(qū)域&進(jìn)行關(guān)鍵網(wǎng)絡(luò)的鏈路分析和阻抗檢查；

【5】DDR3網(wǎng)絡(luò)的關(guān)聯(lián)信號(hào)的GND和VCC分組&關(guān)鍵信號(hào)進(jìn)行分類(lèi)；

【6】DDR3關(guān)聯(lián)信號(hào)元件的IBIS模型&創(chuàng)建多信號(hào)分組&關(guān)聯(lián)檢查；

【7】設(shè)置仿真條件和仿真的參數(shù)等級(jí)&設(shè)置參與仿真的信號(hào)網(wǎng)絡(luò)類(lèi)；

【8】設(shè)置參與仿真的信號(hào)組類(lèi)型，地址，命令，控制，數(shù)據(jù)，時(shí)鐘；

【9】執(zhí)行仿真查看仿真結(jié)果&套用內(nèi)存時(shí)序分析模板對(duì)結(jié)果進(jìn)行分析；

第六次課程課程主題：DDR3內(nèi)存信號(hào)實(shí)例分析結(jié)果分析;（基于Sigrity Speed2000軟件下的信號(hào)質(zhì)量評(píng)估）

DDR3內(nèi)存信號(hào)實(shí)例分析結(jié)果分析和報(bào)告輸出；

【1】CK+,CK-接收數(shù)據(jù)整理參考內(nèi)置DDR3模板標(biāo)準(zhǔn)做數(shù)據(jù)對(duì)比解析；

【2】DQS+,DQS-接收數(shù)據(jù)整理參考內(nèi)置DDR3模板標(biāo)準(zhǔn)做數(shù)據(jù)對(duì)比解析；

【3】地址組分析結(jié)果整理和考內(nèi)置DDR3模板標(biāo)準(zhǔn)做數(shù)據(jù)對(duì)比解析;

【4】數(shù)據(jù)組分析結(jié)果整理和考內(nèi)置DDR3模板標(biāo)準(zhǔn)做數(shù)據(jù)對(duì)比解析;

【5】過(guò)沖&下沖&信號(hào)抖動(dòng)&眼圖模板&定義模板數(shù)據(jù)比較和初判斷；

【6】基于預(yù)定義的DDR3內(nèi)存模板文件輸出仿真報(bào)告；

【7】輸出的報(bào)告文件進(jìn)行解讀分析&分析建立時(shí)間和保持時(shí)間的余量；

【8】對(duì)輸出的報(bào)告文件中的建立時(shí)間報(bào)告進(jìn)行分析；

【9】對(duì)輸出的報(bào)告文件中的保持時(shí)間報(bào)告進(jìn)行分析；

【10】對(duì)輸出的報(bào)告文件中的眼圖眼高報(bào)告進(jìn)行分析；

【11】對(duì)仿真中存在的不合格項(xiàng)目進(jìn)行優(yōu)化冗余分析；

【12】提出改善DDR3的優(yōu)化策略和多參數(shù)分析優(yōu)化思路；

第七次課程課程主題：板級(jí)EMI仿真實(shí)例分析（基于Sigrity Speed2000軟件下的板級(jí)EMI分析）

板級(jí)EMI輻射仿真實(shí)例分析（實(shí)例分析）

【1】實(shí)例文件導(dǎo)入和材料的參數(shù)帶入及配置材料表等參數(shù)設(shè)置；

【2】互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)連通性檢查&信號(hào)互聯(lián)的過(guò)孔&焊盤(pán)&銅皮等參數(shù)配置；

【3】IBIS文件錯(cuò)誤檢查&錯(cuò)誤修改和IO緩沖器的特性檢查配置；

【4】設(shè)置仿真的網(wǎng)絡(luò)和區(qū)域&進(jìn)行關(guān)鍵網(wǎng)絡(luò)的鏈路分析和阻抗檢查；

【5】設(shè)置分析網(wǎng)絡(luò)的關(guān)聯(lián)信號(hào)的GND和VCC分組&關(guān)鍵信號(hào)進(jìn)行分類(lèi)；

【6】關(guān)聯(lián)分析信號(hào)元件的IBIS模型&創(chuàng)建多信號(hào)分組&信號(hào)關(guān)聯(lián)檢查；

【7】編寫(xiě)信號(hào)激勵(lì)源的函數(shù)&設(shè)置激勵(lì)源&關(guān)聯(lián)信號(hào)激勵(lì)TX發(fā)送；

【8】設(shè)置信號(hào)流向關(guān)聯(lián)RX接收&設(shè)置對(duì)用網(wǎng)絡(luò)的IO模型關(guān)聯(lián)模型；

【9】執(zhí)行仿真分析仿真結(jié)果&近場(chǎng)輻射場(chǎng)參數(shù)解讀分析；

【10】遠(yuǎn)場(chǎng)FCC標(biāo)準(zhǔn)，水平與垂直磁場(chǎng)結(jié)果分解與分析；

【11】遠(yuǎn)近磁場(chǎng)輻射參數(shù)切換，場(chǎng)標(biāo)準(zhǔn)解讀，輻射場(chǎng)范圍；

【12】遠(yuǎn)場(chǎng)和近場(chǎng)的區(qū)分，傳輸線輻射場(chǎng)的范圍計(jì)算；

【13】二值化磁場(chǎng)結(jié)果分布圖和結(jié)果；最差結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)；

【14】近場(chǎng)三維場(chǎng)參數(shù)解讀&空間輻射源查找與信號(hào)輻射優(yōu)化策略；

第八次課程課程主題：10G封裝體全波場(chǎng)高速串行信號(hào)仿真實(shí)例;（基于Sigrity SYSTEM SI高速互聯(lián)模塊的實(shí)例分析）

10G封裝體全波場(chǎng)高速串行信號(hào)仿真實(shí)例；

【1】封裝體全波場(chǎng)S參數(shù)提取&3DFEM全波場(chǎng)S參數(shù)提??；

【2】10G S參數(shù)結(jié)果分析和S11,S21信號(hào)質(zhì)量評(píng)估；

【3】BNP&TS文件轉(zhuǎn)換和SPICE等效模型轉(zhuǎn)換與分析；

【4】SYSTEM SI 系統(tǒng)仿真鏈路搭建與模型關(guān)聯(lián)；

【5】IBIS-AMI信號(hào)激勵(lì)碼的設(shè)置與模型匹配；

【6】信號(hào)仿真執(zhí)行和注意事項(xiàng)和常見(jiàn)問(wèn)題；

【7】結(jié)果分析和解讀，10G 69A-7標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范&信號(hào)抖動(dòng)公差；；

【8】結(jié)果分析和解讀，差分對(duì)TX/RX信號(hào)誤差對(duì)比分析；

【9】結(jié)果分析和解讀，S21信號(hào)插入損耗分析&擬合衰減&插入損耗；

【10】結(jié)果分析和解讀，S11,S22回?fù)p分析，TX S11&RX S22；

【11】結(jié)果分析和解讀，TP1和TP4之間的串?dāng)_DB；

【12】信號(hào)分析結(jié)果優(yōu)化與信號(hào)質(zhì)量改進(jìn)方法；

第九次課程課程主題：PCB直流壓降與電熱混合仿真；（基于Sigrity PowerDC軟件下的電熱混合仿真）

PCB互聯(lián)電和熱混合仿真的效應(yīng)基礎(chǔ)

【1】歐姆定律與電路的電阻計(jì)算方式；

【2】直流電路的壓降分析與電路的回路系統(tǒng)；

【3】封裝堆疊與封裝結(jié)構(gòu)體中的電壓回路系統(tǒng)；

【4】電源樹(shù)和導(dǎo)入電源樹(shù)后的BLOCK分布編輯設(shè)置；

【5】導(dǎo)入回路與常見(jiàn)的熱通路熱阻模型；

【6】熱流密度與電熱的相互效應(yīng)參數(shù)；

【7】銅皮，金，銀，鎢等金屬材料的電和熱參數(shù)；

【8】通用的熱與散熱處理方法，熱通路和電通路；

第十次課程課程主題：PCB（單或者多板）互聯(lián)電源系統(tǒng)DC電參數(shù)分析；（實(shí)例仿真分析）

【1】建立項(xiàng)目載入文件，封裝參數(shù)SPD;

【2】疊層設(shè)置，材料的電參數(shù)設(shè)置，過(guò)孔參數(shù)設(shè)置；

【3】封裝體預(yù)覽與三維結(jié)構(gòu)體分析；

【4】設(shè)置電源和GND，網(wǎng)絡(luò)歸類(lèi)；

【5】設(shè)置VRM電壓源&設(shè)置Sinks負(fù)載，設(shè)置輸入和內(nèi)阻模型；

【6】使用Power Tree建立參數(shù)模型和構(gòu)建互聯(lián)的DC模型； 

【7】設(shè)置規(guī)則，電參數(shù)設(shè)置，層，過(guò)孔，電路密度參數(shù)；

【8】仿真和分析結(jié)果，解讀仿真結(jié)果。

【9】電路&電流熱點(diǎn)超標(biāo)點(diǎn)查找，與改進(jìn)方式；

【10】VCC&GND 3D電路電流密度分析，動(dòng)態(tài)熱點(diǎn)分析；

【11】改善策略與分析&多參數(shù)掃描分析；

PCB（單或者多板）互聯(lián)電源系統(tǒng)電熱混合參數(shù)分析；（實(shí)例仿真分析）

【1】建立項(xiàng)目載入文件，封裝參數(shù)SPD;

【2】疊層設(shè)置，材料的電參數(shù)設(shè)置，過(guò)孔&熱參數(shù)參數(shù)設(shè)置；

【3】封裝體預(yù)覽與三維結(jié)構(gòu)體分析；

【4】設(shè)置電源和GND，網(wǎng)絡(luò)歸類(lèi)；

【5】設(shè)置VRM電壓源&設(shè)置Sinks負(fù)載，設(shè)置輸入和內(nèi)阻模型

【6】使用Power Tree建立參數(shù)模型和構(gòu)建互聯(lián)的DC模型；

【7】設(shè)置規(guī)則，電參數(shù)設(shè)置，層，過(guò)孔，電路密度參數(shù)；

【8】設(shè)置仿真環(huán)境溫度，風(fēng)扇，風(fēng)速，熱環(huán)境；

【9】 設(shè)置熱元件參數(shù)，MCU,MPU,電源等大電流器件的熱阻模型；

【10】散熱片設(shè)置，元件模型散熱片與安裝位置設(shè)置，導(dǎo)熱設(shè)置；

【11】設(shè)置熱分析標(biāo)準(zhǔn)，建立熱分析規(guī)則；

【12】仿真和分析結(jié)果，解讀仿真結(jié)果。

電熱混合參數(shù)掃描結(jié)果分析

【1】電路&電流熱點(diǎn)超標(biāo)點(diǎn)查找與系統(tǒng)與改進(jìn)的方法；

【2】VCC&GND 3D電路電流密度分析，動(dòng)態(tài)熱點(diǎn)分析；

【3】3D熱溫度分布分析，熱導(dǎo)圖分析；

【4】熱輻射對(duì)元件的MTBF壽命參數(shù)與壽命分析；

【5】改善策略與在分析&多參數(shù)掃描分析；

【6】整理資料輸出電熱混合仿真報(bào)告，給出整改建議；

【7】分析電密度超標(biāo)區(qū)域&分析熱密度超標(biāo)區(qū)域&提出改善措施；

六、講師資歷—李增老師

李增老師，13年＋模擬電路和數(shù)字電路及程序設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，著有多本Cadence和高速信號(hào)仿真書(shū)籍。尤其是快速電子類(lèi)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的精悍流程和開(kāi)發(fā)技巧。熟悉Cadence,PADS,AD, ADS,Sigrity,Ansys EM等EDA和分析工具，已初步形成了一套基于高速PCB設(shè)計(jì)的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)及理論，累積上萬(wàn)粉絲。

七、主辦單位簡(jiǎn)介

湖南凡億智邦電子科技有限公司，是國(guó)內(nèi)的電子研發(fā)和技術(shù)培訓(xùn)提供商，是國(guó)家認(rèn)定的高新技術(shù)企業(yè)。以“凡億電路”“凡億教育”作為雙品牌戰(zhàn)略，目前近110萬(wàn)電子會(huì)員，技術(shù)儲(chǔ)備為社會(huì)持續(xù)輸送7萬(wàn)余人高級(jí)工程師，服務(wù)了1萬(wàn)多中小型企業(yè)合作伙伴。

服務(wù)范圍：

凡億教育課程開(kāi)設(shè)了硬件、PCB、仿真、電源、EMC、FPGA、電機(jī)、嵌入式、單片機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等多門(mén)主流學(xué)科。目前，凡億教育畢業(yè)學(xué)員九成實(shí)現(xiàn)漲薪，八成漲薪超20%，漲幅達(dá)200%，就業(yè)企業(yè)不乏航天通信、同步電子、視源股份，華為等明星企業(yè)，受到企業(yè)與工程師一致認(rèn)可！

培訓(xùn)初心：

打通“人才培養(yǎng)+人才輸送”的閉環(huán)；致力于做電子工程師的夢(mèng)工廠；

打造“真正有就業(yè)保障的電子工程師職業(yè)教育平臺(tái)”。